Трехмерные интегральные схемы – перспективы, обусловленные развитием технологии TSV

На семинаре присутствовали 30 специалистов.

В докладе Г.В.Кристовского отмечалось, что постоянно расширяющийся фронт исследований в области трехмерных ИС обусловлен 3-мя причинами:

1. Возможностью повышения степени интеграции при меньших габаритах и пониженной мощности.
2. Радикальным уменьшением задержки на связях.
3. Эффективным решением проблемы памяти для высокопроизводительных многоядерных систем на кристалле.

В настоящее время наибольший прогресс достигнут в технологии TSV (Through Silicon Via). Использование пассивных кремниевых плат с дополнительными слоями разводки и TSV уже сегодня позволяет создавать и производить трехмерные ИС. Наиболее известный пример микросхема Virtex-7 фирмы Xilinx.

Над созданием 3-мерной ИС, содержащей процессорный слой и 4 слоя динамической памяти работает консорциум из целого ряда ведущих полупроводниковых фирм мира. Кодовое название проекта " Hybrid Memory Cube". Предлагаемая конструкция позволит на порядок поднять пропускную способность интерфейса между процессорным кристаллом и внешней памятью. Опытные образцы ожидаются в этом году, промышленное производство в 2014 году.

На семинаре были обсуждены основные технологии создания трехмерных интегральных схем, их современное состояние и перспективы использования этих технологий в том числе в системах сверхвысокой производительности.