Особенности физического проектирования микропроцессоров на базе 90-нм технологий
За последние годы плотность интеграции и быстродействие интегральных микросхем, особенно микропроцессоров, выросли многократно. С увеличением этих параметров существенно возрастает и трудоемкость проектирования СБИС. Из-за увеличения числа транзисторов критически важным в достижении коммерческого успеха становится время проектирования изделия, что вызвало появление иерархического подхода к его разработке. Переход на нанотехнологии (менее 100 нм) и повышение быстродействия требуют учета металлических межсоединений и более тонких эффектов в полупроводниках, что возможно только в современных САПР. Из-за высокой стоимости изготовления СБИС на фабрике необходимо придерживаться жестких методологий проектирования и стратегий, которые более податливы автоматизации процесса проектирования, чтобы избежать возможных ошибок и повысить коэффициент выхода годных. В статье рассмотрены особенности физического проектирования микропроцессоров с технологическими нормами 90 нм в ЗАО «МЦСТ»
Подробнее... Загрузить файл 
Содержание:
Введение
1. Планирование топологии кристалла на этапе физического проектирования
2. Особенности проектирования верхнего уровня иерархии системы для кристалла с архитектурой «ЭЛЬБРУС»
3. Снижение потребляемой мощности
4. Проблемы повышения выхода годных микросхем
Литература
Особенности физического проектирования микропроцессоров на базе 90-нм технологийСопоставляются плоский и иерархический методы проектирования СБИС, их преимущества и недостатки. Особое внимание уделено иерархическому методу, позволяющему добиться более качественного планирования кристалла, улучшения временных характеристик и сокращения времени проектирования.